硅烯异质结中应变控制的谷与自旋分离
介观与纳米尺度物理
2018-07-04 v2
摘要
我们采用紧束缚模式匹配法研究应变对硅烯异质结的影响。研究发现，仅用电场无法实现电子的谷依赖和自旋依赖分离。当应变和电场同时施加于中心散射区时，不仅K和K'谷的电子被分离到相反横向方向上的两个不同透射瓣中，而且上自旋和下自旋电子也将朝两个相反横向方向移动。因此，人们可以通过改变应变的幅度和拉伸方向来实现对谷依赖和自旋依赖输运的有效调制。这种应变诱导的谷和自旋偏转现象可用于基于硅烯的谷电子学器件。
引用
@article{arxiv.1707.02465,
title = {Strain-controlled valley and spin separation in silicene heterojunctions},
author = {Yuan Li and H. B. Zhu and G. Q. Wang and Y. Z. Peng and J. R. Xu and Z. H. Qian and R. Bai and G. H. Zhou and C. Yesilyurt and Z. B. Siu and M. B. A. Jalil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.02465},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 6 figures