硅烯结中实自旋与晶格自旋电流的应变调控
介观与纳米尺度物理
2017-08-22 v2
摘要
我们研究了硅烯结中受应变调控的实自旋与晶格自旋电流，其中化学势、垂直电场和圆偏振光被施加于应变势垒上。我们发现该结产生应变过滤效应，能够实现对实自旋（或晶格自旋）电流的完美应变调控。(i) 通过在不施加圆偏振光的情况下施加电场，我们表明总电流由可通过应变调控的纯晶格自旋向上（或向下）电子携带。(ii) 当圆偏振光照射在硅烯片上而不施加电场时，总电流由可通过应变调控的纯实自旋向上（或向下）电子携带。在情况 (ii)（或 (i)）中，与纯实自旋（或晶格自旋）电流相关的高电导峰出现在特定的应变值处，产生应变过滤效应。由纯实自旋（或晶格自旋）电流过滤出的应变值可通过改变化学势进行调控。通过增加应变势垒的厚度可增强灵敏度。值得注意的是，(iii) 当同时施加垂直电场和圆偏振光时，总电流由可通过应变调控的三种电子群携带。这可能导致可调控的电子群数量进行输运。该结果表明，硅烯结中的应变过滤效应与石墨烯结截然不同。我们的工作揭示了硅烯作为纳米机电器件和自旋谷电子学应用的潜力。
引用
@article{arxiv.1702.07875,
title = {Strain control of real-and lattice-spin currents in a silicene junction},
author = {Sarayut Phonapha and Assanai Suwanvarangkoon and Bumned Soodchomshom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.07875},
year = {2017}
}
备注
25 pages, 8 Figures, 1 table (accepted in physics letters A)