基于无序的石墨烯自旋电子学
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
利用电子自旋作为终极逻辑比特——这一概念被称为自旋电子学——可以引发对信息流的新思考方式。同时，单层石墨烯因其基本性质和在纳米电子学中的潜在应用而成为研究热点。虽然缺陷可以显著改变纳米系统的电子性质，但缺乏控制会导致由这些杂质的随机排列引起的看似有害的效应。在这里，我们使用 {\it ab initio} 密度泛函理论和非平衡格林函数计算证明，可以在掺杂石墨烯纳米带中获得完美的自旋选择性，从而产生完美的自旋过滤器。我们表明，进入系统的初始非极化电子由于随机无序而产生 100% 的电流极化。这一效应可以通过每个自旋通道的不同局域化长度来解释，结合电导对器件长度的众所周知的指数依赖性，形成了一种由无序增强的自旋过滤效应的新机制。
引用
@article{arxiv.0907.5027,
title = {Disorder-based graphene spintronics},
author = {A. R. Rocha and T. B. Martins and A. Fazzio and A. J. R. da Silva},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.5027},
year = {2015}
}