双铁磁栅极硅烯结中的晶格赝自旋与自旋-谷极化
介观与纳米尺度物理
2016-05-04 v1
摘要
我们研究了基于双铁磁栅极硅烯的结中的自旋-谷和晶格赝自旋电流。硅烯具有屈曲原子结构，这使得我们在研究中能考虑子晶格依赖的铁磁性。研究结果之一表明，结处的透射仅在反平行情形下表现出各向异性。有趣的是，通过反转平行结中交换场的方向，所研究的结可以从纯自旋极化器切换到纯谷极化器。自旋-谷电流的完美控制只能在平行情形下实现，且其分辨率可通过增加铁磁势垒间的栅极电势来增强。发现反平行结的非对称势垒破坏了自旋和谷滤波效应，并产生新颖结果：纯子晶格赝自旋极化。反平行结中的电流可被控制为仅流经A或B子晶格，也就是说，在双铁磁栅极结中产生了可控制的硅烯晶格电流。我们的工作揭示了双铁磁栅极硅烯结的潜力，其可能应用于自旋谷电子学和晶格赝自旋电子学。
引用
@article{arxiv.1511.01204,
title = {Lattice-pseudospin and spin-valley polarizations in dual ferromagnetic-gated silicene junction},
author = {Peerasak Chantngarm and Kou Yamada and Bumned Soodchomshom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.01204},
year = {2016}
}
备注
24 pages, 9 figures