磁场中硅烯反点与量子点中的受保护边缘态
介观与纳米尺度物理
2015-03-18 v2
摘要
由于晶格的翘曲结构，硅烯体系表现出显著的本征自旋 - 轨道相互作用，从而在低能区触发拓扑相变。因此，我们发现硅烯反点和量子点中存在受保护的边缘态，且这些态在谷 - 自旋对中是极化的。我们还研究了晶格终止对垂直磁场中硅烯反点和量子点的单电子能级及电子密度分布性质的影响。我们的计算证实，对于理想或包含原子尺度粗糙度的实际边缘终止，拓扑边缘态均沿反点/量子点的周长传播。然而，当反点或量子点具有粗糙边缘时，谷极化以及能量线随磁场变化的斜率会有所降低。
引用
@article{arxiv.1412.6972,
title = {Protected edge states in silicene antidots and dots in magnetic field},
author = {P. Rakyta and M. Vigh and A. Csordás and J. Cserti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.6972},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 7 figure