硅烯中拓扑与平庸约束下的持续电流
介观与纳米尺度物理
2020-02-19 v1 材料科学
摘要
我们考虑在屈曲硅烯中电场翻转处束缚的态。沿电场翻转线形成拓扑约束，其电荷电流方向与由此产生的磁偶极矩由谷指数决定。我们将该拓扑约束与平庸约束进行比较，后者源于垂直电场的局部减弱但没有能隙反转。对于后者，谷不能保护磁偶极矩的方向免受外磁场的反转。我们证明，拓扑约束态可以耦合形成扩展的成键或反键轨道，其能量分裂受几何结构和外磁场影响。
引用
@article{arxiv.2002.03621,
title = {Persistent currents in topological and trivial confinement in silicene},
author = {Piotr Jurkowski and Bartlomiej Szafran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.03621},
year = {2020}
}