垂直电场增强硅烯中光致极化
介观与纳米尺度物理
2020-05-25 v1
摘要
研究了硅烯中交错势对光致自旋与赝自旋极化的作用。结果表明，在存在圆偏振光发射时施加外部垂直电场，硅烯薄片中会出现非平衡自旋与赝自旋极化。该电场导致靠近狄拉克点的赝自旋分辨态，因此可视为赝磁场。研究表明，交错势诱导的自旋-谷锁定与赝自旋分辨能带是自旋与赝自旋极化增强的原因。同时，自旋-谷锁定表明在低费米能量下自旋极化与谷极化共存且布居失衡几乎相同，这可用于谷极化的磁探测。研究表明，自旋-谷锁定使得自旋极化在弹性散射机制下免受弛豫影响。此外，结果表明圆偏振光可产生赝自旋电流，这可由 k 空间中各态的不对称光吸收来解释。
引用
@article{arxiv.2005.11060,
title = {Normal electric field enhanced light-induced polarizations in silicene},
author = {N. Shahabi and A. Phirouznia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.11060},
year = {2020}
}