通过谷涡旋附近的 g 因子测量对 Si/SiGe 量子点中谷耦合的统计表征
介观与纳米尺度物理
2025-07-08 v1 量子物理
摘要
Si/SiGe 异质结构中低能谷激发的存在常常导致自旋量子比特失效。因此,开发用于表征谷耦合的稳健协议非常重要。在这里,我们表明,对谷能量分布进行实际规模的采样往往会严重高估平均谷耦合。但我们发现,除了谷分裂之外,了解谷相位可以显著改善我们的估计。受此理解的启发,我们提出了一种新方法,利用简单的 g 因子测量来探测整个量子阱中的谷相位景观。该过程中的一个重要校准步骤是在包围谷涡旋的环路中测量 g,其中谷相位围绕谷分裂的零点缠绕 。该提议为探测自旋量子比特建立了一个重要的新工具,并且可以在当前的实验中实现。
引用
@article{arxiv.2507.05160,
title = {Statistical characterization of valley coupling in Si/SiGe quantum dots via $g$-factor measurements near a valley vortex},
author = {Benjamin D. Woods and Merritt P. Losert and Nasir R. Elston and M. A. Eriksson and S. N. Coppersmith and Robert Joynt and Mark Friesen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.05160},
year = {2025}
}
备注
4+8 pages, 2+3 figures