Si/SiGe 量子点 g 因子理论：自旋-谋浦相互作用与巨型重整效应

理解 Si/SiGe 量子点的 g 因子物理对于实现高质量自旋量子比特至关重要。虽然已有工作在理想几何形状下解释了 g 因子物理的某些方面，但结果并不适用于普遍情况，且遗漏了若干重要特征。本文构建了一种以易于计算的矩阵元素给出 g 值的理论，可适用于当前感兴趣的所有 Si/SiGe异质结构。作为具体例子——目前尚无 g 因子理解——我们研究了所谓的 Wiggle Well 结构，包含量子阱内的 Ge 浓度振荡。我们发现相对于常规 Si/SiGe 量子阱，g 因子存在显著的重整。我们还发现一种高达 $\mathcal{O}(1)$ 的巨型 g 因子抑制，源于自旋-谋浦耦合，发生在谋浦能级分裂较低的区域。本工作因此开辟了 Si/SiGe 量子点 g 因子工程的新途径。