倾斜衬底上生长的应变Si/SiGe量子阱在零磁场下的零谷劈裂
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们使用参数化的紧束缚方法计算了在具有周期性台阶的倾斜衬底上生长的应变Si/SiGe量子阱的电子结构。对于零倾斜角,布里渊区中心导带两个最低极小值之间的能量差定义了一个非零的谷劈裂。在有限倾斜角下,两个最低导带极小值移动到布里渊区中的k0和-k0处,并且具有相等的能量。因此,在倾斜衬底上生长的量子阱的谷劈裂为零,这是量子阱与缓冲层材料之间界面处台阶周期性的直接结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606395,
title = {Zero valley splitting at zero magnetic field for strained Si/SiGe quantum wells grown on tilted substrates},
author = {Paul von Allmen and Seungwon Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606395},
year = {2007}
}