Si/SiGe 量子点中谷 Kondo 效应的特征

Mingyun Yuan; R. Joynt; Zhen Yang; Chunyang Tang; D. E. Savage; M. G. Lagally; M. A. Eriksson; A. J. Rimberg

doi:10.1103/PhysRevB.90.035302

Si/SiGe 量子点中谷 Kondo 效应的特征

介观与纳米尺度物理 2014-07-04 v2

作者: Mingyun Yuan , R. Joynt , Zhen Yang , Chunyang Tang , D. E. Savage , M. G. Lagally , M. A. Eriksson , A. J. Rimberg

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们报告了与 Si/SiGe 量子点中谷 Kondo 效应一致的测量结果，其证据是电导随源漏电压变化的峰值显示出强烈的温度依赖性。Kondo 峰值在磁场中表现出异常行为，我们将其解释为由谷自由度引起。侧峰的存在表明了谷分裂和 Zeeman 分裂的相互作用，揭示了 0.28 至 0.34 meV 之间的零场谷分裂。在两个样品中观察到了非零磁场下的零偏置电导峰，这一现象与隧穿中的谷不守恒一致。

关键词

谷 Kondo 效应 Si/SiGe 量子点电导峰谷自由度 Zeeman 分裂谷分裂隧穿

引用

@article{arxiv.1212.0918,
  title  = {Signatures of Valley Kondo Effect in Si/SiGe Quantum Dots},
  author = {Mingyun Yuan and R. Joynt and Zhen Yang and Chunyang Tang and D. E. Savage and M. G. Lagally and M. A. Eriksson and A. J. Rimberg},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0918},
  year   = {2014}
}

备注

16 pages, 7 figures

Si/SiGe 量子点中谷 Kondo 效应的特征

摘要

关键词

引用

备注

相关论文