表面粗糙度限制的硅纳米线场效应晶体管平均自由程
介观与纳米尺度物理
2013-04-23 v1
摘要
利用非平衡格林函数方法的非微扰方法，计算了受表面粗糙度散射 (SRS) 限制的硅纳米线场效应晶体管中的平均自由程 (MFP)。确定了与沟道长度有限性相关的入口散射效应，并开发了一种在 MFP 计算中消除该效应的方法。广泛研究了 MFP 随沟道长度 (L)、沟道宽度 (W) 和表面粗糙度均方根 (RMS) 的变化行为。我们的主要发现是，单一参数 RMS/W 可作为衡量 SRS 效应强度的良好指标，且 MFP 的整体特性由该参数决定。特别是，MFP 随 RMS/W 的增加呈指数下降；而 MFP 随栅极电场的变化行为，取决于由 RMS/W 衡量的 SRS 效应强度是小于还是大于 0.06，表现出显著差异。
引用
@article{arxiv.1304.5597,
title = {Surface-Roughness-Limited Mean Free Path in Si Nanowire FETs},
author = {Hyo-Eun Jung and Mincheol Shin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.5597},
year = {2013}
}