基于Ando线性模型的MOSFET Inversion层表面粗糙散射微观建模
介观与纳米尺度物理
2026-04-27 v1
摘要
提出一种基于Ando线性模型的表面粗糙（SR）散射微观模型，用于bulk-MOSFET的倒带层。考虑到由半导体/介质界面处电势梯度和波函数连续性不连续性引起的粗糙位置随机性，本文在每个原子位点引入粗糙位置的概率密度。模型中的粗糙参数与实验数据一致，从而无论是理论还是实验都不存在偏差。随后采用Green函数方法推导SR散射率，发现散射率在能级和位置上本质上是非局部的（非对角）的。此外，在强有效场和低电子能量条件下，自洽散射率显著偏离费米金刚规则得到的散射率。因此，传统模型倾向于预测较小的SR受限迁移率。
引用
@article{arxiv.2604.22155,
title = {Microscopic Modeling of Surface Roughness Scattering in Inversion Layers of MOSFETs Based on Ando's Linear Model},
author = {Nobuyuki Sano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.22155},
year = {2026}
}