具有 high-$\kappa$/SiO$_2$ 栅叠层的FDSOI器件中的远程表面粗糙度散射
材料科学
2015-04-09 v1
摘要
我们使用非平衡格林函数研究全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）器件中由SiO/HfO界面引起的远程表面散射（RSR）。我们表明，RSR迁移率受Si/SiO和SiO/HfO界面处表面粗糙度轮廓之间互相关的控制。因此，表面粗糙度和远程表面粗糙度不能被建模为两个独立机制。当Si/SiO界面与SiO厚度轮廓相关时，RSR倾向于增强总迁移率；当它们反相关时，则降低总迁移率。我们讨论了其对high-/金属栅技术的影响。
引用
@article{arxiv.1504.01881,
title = {Remote Surface Roughness Scattering in FDSOI devices with high-$\kappa$/SiO$_2$ gate stacks},
author = {Y. M. Niquet and I. Duchemin and V. -H. Nguyen and F. Triozon and D. Rideau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01881},
year = {2015}
}