基于电压产生应力诱导 180 度磁化翻转的非易失性多铁存储器中比特的高可靠低能耗写入
材料科学
2014-07-09 v1
摘要
利用电致机械应变旋转磁致伸缩纳米磁体的磁化强度，其能量耗散相较于其他任何旋转方法都微乎其微，本应是写入非易失性磁性存储器的理想方法，但应变通常无法将磁体的磁化强度旋转超过 90 度以实现“翻转”。在此，我们描述了一种利用应变实现纳米磁体磁化强度完全 180 度旋转的方案，这将使得在采用磁隧道结的非易失性磁性存储器中写入二进制比特成为可能，其中磁隧道结的软层为两相磁致伸缩/压电多铁材料。在室温下，这种写入方法实现了：(1) 每比特能量耗散 < 6200 kT，(2) 写入错误概率 < 10^-6，(3) 写入时间约为 1 ns，以及 (4) 低读取错误率。这有可能催生出一类全新的非易失性存储器，其具有极高的可靠性、快速度，同时具备超低能耗。
引用
@article{arxiv.1407.2140,
title = {Highly reliable low-energy writing of bits in non-volatile multiferroic memory based on 180-degree magnetization switching with voltage-generated stress},
author = {Ayan K. Biswas and Supriyo Bandyopadhyay and Jayasimha Atulasimha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.2140},
year = {2014}
}