热辅助多铁性固态存储器
介观与纳米尺度物理
2017-10-11 v1
摘要
提出并分析了一种基于PbNbZrSnTiO3反铁电衬底和Ni81Fe19磁性自由层的热辅助多铁性固态存储器设计。信息以磁隧道结元件自由层的磁化方向存储。比特写入过程是非接触的，依赖于触发自由层朝向应变诱导各向异性易轴的被热激活的磁化开关。利用反铁电衬底通过电压诱导的反铁电-铁电相变产生应力，并通过应变介导的耦合传递至磁性自由层。此处使用基于随机Landau Lifshitz Bloch方程和热流方程同时求解的三维温度依赖磁化动力学模型，结合随机热场和磁弹性贡献，分析了热激活应变诱导磁化开关。计算了磁化开关概率作为应力大小和最大热脉冲温度的函数。确定了一个操作区域，其中磁化开关总是发生，应力值范围从80到180 MPa，归一化到居里温度的最大温度范围从0.65到0.99。
引用
@article{arxiv.1707.04710,
title = {Heat-Assisted Multiferroic Solid-State Memory},
author = {Serban Lepadatu and Melvin M. Vopson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.04710},
year = {2017}
}