节能型磁弹非易失性存储器
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1
摘要
我们提出了一种利用电产生的机械应力在非易失性（多铁性）磁性存储器中进行低功耗写入二进制位的改进方案。与先前的想法 [Tiercelin 等，J. Appl. Phys., 109, 07D726 (2011)] 相比，当存储位通过磁隧道结读取时，我们的方案提高了存储位之间的可区分度。更重要的是，在保持写入速度不变的情况下，写入能耗和写入错误率显著降低。该方案可能成为在磁性非易失性存储器中写入位的最节能方法之一。
引用
@article{arxiv.1402.5356,
title = {Energy-efficient magnetoelastic non-volatile memory},
author = {Ayan K. Biswas and Supriyo Bandyopadhyay and Jayasimha Atulasimha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5356},
year = {2015}
}