利用具有电流诱导磁化翻转架构的磁性隧道结实现非易失性静态随机存取存储器 (NV-SRAM)
材料科学
2015-05-13 v2
摘要
我们提出并计算分析了一种采用具有无磁场电流诱导磁化翻转 (CIMS) 架构的磁性隧道结 (MTJs) 的非易失性静态随机存取存储器 (NV-SRAM) 单元。一对连接到标准 SRAM 单元存储节点且具有 CIMS 架构的 MTJ，实现了非易失性逻辑信息的全电学存储与恢复操作。所提出的 NV-SRAM 有望成为具有极低静态功耗的下一代电源门控逻辑系统的关键组件。
引用
@article{arxiv.0803.3370,
title = {Nonvolatile Static Random Access Memory (NV-SRAM) Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture},
author = {Shuu'ichirou Yamamoto and Satoshi Sugahara},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.3370},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 7 figures; added 1figure and 5references