大偏压与有限温度下金属/绝缘体异质结的广义隧穿电流公式
介观与纳米尺度物理
2021-03-23 v1 材料科学
摘要
Fowler-Nordheim 隧穿电流公式已广泛用于基于金属/绝缘体（金属/半导体）异质结与三角形势垒（如闪存）的器件设计中。此处我们采用推导有限温度 Landauer 公式所用的模型、描述半无限金属电极中电子态的近自由电子近似，以及描述透射系数的 Wentzel-Kramers-Brillouin（WKB）近似，推导了大偏压与电场下金属/绝缘体异质结的隧穿电流公式。与作为零温极限的 Fowler-Nordheim 公式不同，我们的公式推广至有限温度（考虑了金属电极中电子的热激发）以及三角形之外的势垒，可用于基于载流子隧穿的更复杂异质结器件设计。
引用
@article{arxiv.2103.11400,
title = {A Generalized Tunneling Current Formula for Metal/Insulator Heterojunctions under Large Bias and Finite Temperature},
author = {Zenghua Cai and Menglin Huang and Peng Zhou and Shiyou Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.11400},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 3 figures