纳米尺寸发射体广义热场方程的扩展
材料科学
2019-03-04 v2
摘要
在过去十年中，K.L. Jensen 等人发展了一个通用的解析模型，成功描述了金属在场发射和热发射区以及过渡区的电子发射。在该发展中，使用了标准的镜像修正三角形势垒。该势垒模型仅对平面表面有效，因此通常不能用于现代纳米发射体。在近期的一项发表中，作者表明如果在势模型中包含二次项，标准 Fowler-Nordheim 理论可以推广到高曲率发射体。在本文中，我们将此推广扩展到高温情况，并涵盖了热发射区和中间区。这是通过将 Jensen 发展的通用方法应用于我们先前发表的二次势垒模型来实现的。我们获得的结果与半径 的全数值计算吻合良好，而我们计算的电流密度与 Jensen 标准的广义热场 (GTF) 方程预测值相差高达 27 倍。我们扩展的 GTF 方程可应用于现代尖锐电子源、束流模拟模型和真空击穿理论。
引用
@article{arxiv.1609.02426,
title = {Extension of the General Thermal Field Equation for nanosized emitters},
author = {A. Kyritsakis and J. P. Xanthakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.02426},
year = {2019}
}