量子霍尔双层结构中 $\nu_T=1$ 处的隧穿
强关联电子
2013-10-22 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
报道了在 处强关联双层量化霍尔相中的层间隧穿测量结果。 处隧穿的最大电流或临界电流被证明是相干相的一个定义明确的全局性质，对外部电路效应和用于测量的具体配置不敏感，但也表现出随温度变化的惊人标度行为。实验观测到的隧穿特性与最近理论的比较在高温下吻合良好，但在低温下则不然，此时隧穿非常类似于 dc Josephson 效应。零偏压隧穿电阻在低温下变得极小，远小于零磁场下观测到的值，但仍然保持有限。该隧穿电阻的温度依赖性与量子霍尔相的普通面内电阻率相似。
引用
@article{arxiv.1308.6269,
title = {Tunneling at $\nu_T=1$ in Quantum Hall Bilayers},
author = {D. Nandi and T. Khaire and A. D. K. Finck and J. P. Eisenstein and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.6269},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 11 postscript figures. Final published version