WOM 代码何时能改善闪存中的擦除因子？
信息论
2015-04-23 v1 math.IT
摘要
闪存是一种一次写入介质，其中重编程单元需要首先擦除包含它们的块。闪存的寿命是块擦除次数的函数，可能小至几千次。为了减少块擦除次数，作为最小写入单元的页面会在内存中被异地重写。一次写入存储器 (WOM) 代码是一种编码方案，能够在擦除之前多次写入块。然而，这些代码会带来显著的速率损失。例如，写入两次（具有相同速率）的速率最多为 0.77。在本文中，我们研究了 WOM 代码及其在页面均匀随机写入时的速率损失与块擦除次数减少之间的权衡。首先，我们引入了一种称为擦除因子的新度量，它反映了块擦除次数和每个块可写入的数据量。我们分析的一个关键点是，这种权衡取决于 WOM 代码在存储器中的具体实现。我们考虑了两种使用 WOM 代码的系统：一种常用的传统方案和一种保持总存储容量的新近设计。虽然第一种系统仅在存储速率至多为 0.6442 时才能改善擦除因子，但我们表明第二种方案总是能改善这一品质因数。
引用
@article{arxiv.1504.05740,
title = {When Do WOM Codes Improve the Erasure Factor in Flash Memories?},
author = {Eitan Yaakobi and Alexander Yucovich and Gal Maor and Gala Yadgar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.05740},
year = {2015}
}
备注
to be presented at ISIT 2015