通过消息传递重写闪存
信息论
2015-02-03 v1 math.IT
摘要
本文构建了结合重写和纠错功能的 WOM 码，以缓解闪存中的可靠性和耐久性问题。我们考虑了一种对闪存应用具有实际意义的重写模型，其中仅第二次写入使用 WOM 码。我们的 WOM 码构造基于带有 LDGM 码的二进制擦除量化，其中重写使用消息传递，并且在实践中具有与 LDPC 码共享高效硬件实现的潜力。我们证明了该编码方案达到了重写模型的容量。大量仿真表明，在需要高重写成功概率的速率区域，我们方案的重写性能优于极性 WOM 码 (polar WOM code)。我们进一步增强了编码方案的纠错能力。通过联系量子纠错背景下研究的共轭码对，我们开发了一个构建纠错 WOM 码的通用框架。在此框架下，我们给出了一种显式的 WOM 码构造，其码字包含在 BCH 码中。
引用
@article{arxiv.1502.00189,
title = {Rewriting Flash Memories by Message Passing},
author = {Eyal En Gad and Wentao Huang and Yue Li and Jehoshua Bruck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.00189},
year = {2015}
}
备注
Submitted to ISIT 2015