$d$-不平衡 WOM 码用于降低多级 NVM 中的单元间干扰
信息论
2016-05-18 v1 math.IT
摘要
近年来，由于多级非易失性存储器（NVM）的普及， 元一次写入存储器（WOM）码得到了广泛研究。通过使用 WOM 码，可以在擦除单元前将 NVM 重写 次。WOM 码的使用能够提升存储设备性能，但也可能增加由单元间干扰（ICI）引起的错误。本文提出一种 WOM 码，其在整个写入序列中限制码符号间的不平衡，从而降低 ICI。我们首先将不平衡模型规定为码字电平间差值的一个界 。随后提出了一种针对一般 和输入大小的 -单元码构造。还推导了写入次数的上界，表明了所提构造的最优性。除直接 WOM 构造外，我们推导了由连续格构造的码的闭式最优写入区域。在编码方面，所提码被证明与未遵循有界不平衡约束的已知码具有竞争力。在存储器方面，我们展示了这些码如何部署于闪存字线中，并利用公认的 ICI 模型量化其 BER 优势。
引用
@article{arxiv.1605.05281,
title = {$d$-imbalance WOM Codes for Reduced Inter-Cell Interference in Multi-Level NVMs},
author = {Evyatar Hemo and Yuval Cassuto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.05281},
year = {2016}
}