管理器件生命周期：面向 M/T/Q/P-LC 闪存的可重构约束码
信息论
2020-12-09 v1 math.IT
摘要
闪存器件在存储密度竞争中战胜了磁记录器件。这一结果源于物理学的进步——允许每个单元存储多于一位——以及信号处理技术的进步，后者降低了物理不稳定性的影响。约束码在存储中用于避免有问题的模式。最近，我们引入了用于数据存储与数据传输的二进制对称字典序约束码（LOCO 码）。本文引入了支持非二进制物理基底的简单约束码；多、三、四以及当前在研的五级单元（M/T/Q/P-LC）闪存。若问题模式随时间改变，这些新码可轻松修改。这些码旨在缓解小区间干扰，这是闪存器件中关键的误差来源。误差的出现是浮栅晶体管内部及跨晶体管的寄生电容所致，导致从被编程至最高电荷水平的单元向被编程至较低水平的相邻单元发生电荷传播。新码称为 元非对称 LOCO 码（QA-LOCO 码），其构造包含了先前为单级单元（SLC）闪存设计的码（A-LOCO 码）。QA-LOCO 码适用于每单元具有任意级数 的闪存器件。对于 ，我们展示 QA-LOCO 码可实现大于 信息比特每编码符号的速率。编解码复杂度适中，且重新配置一个码如同重编程一个加法器般容易。逼近容量的速率、可负担的编解码复杂度以及易重构性，支撑了 M/T/Q/P-LC 闪存器件不断发展，以及随着这些器件特性随时间变化而进行的生命周期管理。
引用
@article{arxiv.2001.02325,
title = {Managing Device Lifecycle: Reconfigurable Constrained Codes for M/T/Q/P-LC Flash Memories},
author = {Ahmed Hareedy and Beyza Dabak and Robert Calderbank},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.02325},
year = {2020}
}
备注
10 pages (double column), 0 figures, to be submitted to the IEEE Transactions on Information Theory (TIT), a short version is to be submitted to the IEEE International Symposium on Information Theory (ISIT)