面向相变存储器的时空约束码

相变存储器（PCM）是一种极具前景的非易失性固态存储技术。PCM单元通过其非晶态和晶态来存储数据。单元利用高温在这两种状态之间进行转换。然而，由于单元对高温敏感，在编程单元时，在时间和空间上平衡热量非常重要。在本文中，我们研究了最初由Jiang等人提出的PCM时空约束。如果对于任意 $\alpha$ 次连续重写和任意由 $\beta$ 个连续单元组成的段，这 $\beta$ 个单元在这 $\alpha$ 次重写中的总重写成本最多为 $p$，则该码被称为 \emph{$(\alpha,\beta,p)$-约束码}。这里，单元是二元的，重写成本定义为当前与下一个存储状态之间的汉明距离。首先，我们给出了这些码可达速率的一般上界，推广了Jiang等人的结果。然后，我们推广了他们针对 $(\alpha\geq 1, \beta=1,p=1)$-约束码的构造，并给出了 $(\alpha = 1, \beta\geq 1,p\geq1)$-约束码的另一种构造。最后，我们证明了这两种构造可用于构造适用于所有 $\alpha$、$\beta$ 和 $p$ 值的码。