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几何WOM码及多级闪存的编码策略

信息论 2012-06-26 v1 组合数学 math.IT

摘要

本文研究了用于闪存存储的一次写入存储器(WOM)码的设计与应用。利用Merkx(1984)的思想,我们提出了一种基于F2\mathbb{F}_2上有限欧几里得几何的WOM码构造。该构造产生了具有新参数的WOM码,并深入揭示了关联结构应满足何种条件才能产生好码的判据。我们还分析了将二进制WOM码适配到多级闪存单元的方法。特别地,我们给出了两种基于不同重写目标的策略。此外,简要讨论了这些策略的平均写入性能以及WOM码的级联方法。

关键词

引用

@article{arxiv.1206.5762,
  title  = {Geometric WOM codes and coding strategies for multilevel flash memories},
  author = {Kathryn Haymaker and Christine A. Kelley},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5762},
  year   = {2012}
}

备注

Preliminary version, 15 pages, 4 figures