基于格的可重写闪存码及E8格实例
信息论
2010-07-13 v1 math.IT
摘要
本文描述了一种基于格的闪存重写码构造。闪存单元中存储的值对应于格点。该构造将信息编码到格点，使得数据可以在不降低单元值的情况下多次写入存储器。该构造将闪存的立方信号空间划分为块。结果表明，最小写入次数与其中一个码参数呈线性关系。文中给出了一个使用E8格的实例及数值结果。
引用
@article{arxiv.1007.1819,
title = {Rewritable Codes for Flash Memories Based Upon Lattices, and an Example Using the E8 Lattice},
author = {Brian M. Kurkoski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1819},
year = {2010}
}
备注
Submitted to Globecom 2010. 5 pages, 2 figures