E8格点多级闪存纠错
信息论
2011-02-17 v2 math.IT
摘要
给出了一种利用E8格点和里德-所罗门码进行闪存纠错的构造方法。由于E8格点解码错误具有突发性，因此采用GF()上的里德-所罗门码非常合适。这是一种编码调制类型，其中格点的欧几里得距离（一种八维信号星座）与码的汉明距离相结合。将该系统与闪存的传统技术（使用格雷编码PAM的BCH码）进行了比较。在字错误概率为时，所述构造方法具有1.6至1.8 dB的性能优势。评估针对的是未编码数据密度为3比特/单元、数据速率为2.9比特/单元的高数据速率闪存单元。
引用
@article{arxiv.1009.5764,
title = {The E8 Lattice and Error Correction in Multi-Level Flash Memory},
author = {Brian M. Kurkoski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.5764},
year = {2011}
}
备注
To appear in Proceedings of ICC 2011; 5 pages. See also http://arxiv.org/abs/1007.1819