用于 MLC NAND 闪存的极化码前向纠错：NAND 闪存的 Polar FEC
硬件体系结构
2018-02-14 v1
摘要
随着存储密度、高速与低成本数据访问的持续增长，闪存已不可避免地普及。多级单元 (MLC) NAND 闪存能很好地平衡数据密度与存储器稳定性，已占据闪存最大市场份额。然而，随着存储器激进的微缩，由于多种干扰，可靠性急剧下降。因此，控制系统应嵌入合适的纠错码 (ECC) 以保证数据的完整性与准确性。我们提出了预校验方案，这是一种多策略极化码方案，以在合理的帧错误率 (FER) 与解码延迟之间取得平衡。三种解码器，即二值输入、量化软判决与纯软判决解码器，被嵌入该方案。由于软对数似然比 (LLR) 输入的计算需要多次感测操作与可选量化边界，我们提出了一种 2-bit 量化硬判决解码器，以更少的感测操作优于硬解码的 LDPC 比特翻转解码器。我们注意到极化码相比 LDPC 码具有低得多的计算复杂度。还提出了逐步最大互信息 (SMMI) 方案，以在不穷举搜索的情况下获得重叠边界。采用并证明了使用 Gray 码的映射方案相比其他替代方案可实现更好的原始误码性能。本文还给出了硬件架构。
引用
@article{arxiv.1802.04576,
title = {Polar-Coded Forward Error Correction for MLC NAND Flash Memory Polar FEC for NAND Flash Memory},
author = {Haochuan Song and Frankie Fu and Cloud Zeng and Jin Sha and Zaichen Zhang and Xiaohu You and Chuan Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.04576},
year = {2018}
}
备注
submitted to SCIENCE CHINA: Information Sciences