闪存存储器的局部秩调制

Michal Horovitz

闪存存储器的局部秩调制

信息论 2013-11-20 v1 math.IT

作者: Michal Horovitz

摘要

局部秩调制方案最近被提出用于闪存中的信息表示，以克服秩调制的缺点。对于满足 $s|n$ 的 $s\leq t\leq n$ ， $(s,t,n)$ -LRM 方案是一种局部秩调制方案，其中 $n$ 个单元通过大小为 $t$ 的滑动窗口进行局部观察，从而产生一系列需要较少比较和较少不同值的小排列。两个窗口之间的距离等于 $s$ 。为了获得最简单的硬件实现，提出了大小为二的滑动窗口情形。为了充分利用该方案的表示能力，提出了 Gray 码和恒重 Gray 码。本文给出了 $(1,2,n)$ -LRM 方案中权重等于 2 的循环恒重 Gray 码的紧上界，并研究了 $(1,3,n)$ -LRM 方案的编码、解码和枚举。

关键词

闪存存储器局部秩调制 Gray 码恒重 Gray 码滑动窗口编码解码

引用

@article{arxiv.1311.4864,
  title  = {Local Rank Modulation for Flash Memories},
  author = {Michal Horovitz},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1311.4864},
  year   = {2013}
}

备注

arXiv admin note: text overlap with arXiv:1310.5515 by other authors without attribution

闪存存储器的局部秩调制

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