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闪存局部秩调制 II

信息论 2014-04-22 v1 math.IT

摘要

最近提出了局部秩调制方案,用于在闪存中表示信息,以克服秩调制的缺点。对于 0<stn0 < s\leq t\leq nss 整除 nn 的情况,(s,t,n)(s,t,n)-LRM 方案是一种局部秩调制方案,其中 nn 个单元通过大小为 tt 的滑动窗口被局部循环查看,从而产生一个需要较少比较和较少不同值的小置换序列。两个此类窗口之间的间隔等于 ss。本文研究了 (1,3,n)(1,3,n)-LRM 方案的编码、解码和渐近枚举。所提出的技术可推广至 (1,t,n)(1,t,n)-LRM (t>3t > 3),但证明将变得更为复杂。枚举问题也被作为一个纯组合问题提出。最后,我们证明了如下猜想:权重为二的常重 (1,2,n)(1,2,n)-LRM Gray 码的大小至多为 2n2n

关键词

引用

@article{arxiv.1404.5021,
  title  = {Local Rank Modulation for Flash Memories II},
  author = {Michal Horovitz and Tuvi Etzion},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1404.5021},
  year   = {2014}
}

备注

submitted to ITW2014