闪存局部秩调制 II
信息论
2014-04-22 v1 math.IT
摘要
最近提出了局部秩调制方案,用于在闪存中表示信息,以克服秩调制的缺点。对于 且 整除 的情况,-LRM 方案是一种局部秩调制方案,其中 个单元通过大小为 的滑动窗口被局部循环查看,从而产生一个需要较少比较和较少不同值的小置换序列。两个此类窗口之间的间隔等于 。本文研究了 -LRM 方案的编码、解码和渐近枚举。所提出的技术可推广至 -LRM (),但证明将变得更为复杂。枚举问题也被作为一个纯组合问题提出。最后,我们证明了如下猜想:权重为二的常重 -LRM Gray 码的大小至多为 。
引用
@article{arxiv.1404.5021,
title = {Local Rank Modulation for Flash Memories II},
author = {Michal Horovitz and Tuvi Etzion},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.5021},
year = {2014}
}
备注
submitted to ITW2014