降低瞬态电流并加速 3-D 交叉点 PCM 读操作的偏置方案
摘要
3-D 交叉点相变存储器 (PCM) 是一种有前景的新兴存储器。然而，3-D 交叉点 PCM 的动态性能受限，且偏置方案的作用未知。先前针对平面存储器的偏置方案研究使用静态分析来评估静态阵列性能。此处，发现高峰值瞬态读电流会导致较长的读取访问时间。分析了导致高峰值读电流的三个因素。所提出的 2V/3 偏置方案和单参考寄生匹配传感电路被用于 64Mbit 3-D 交叉点 PCM 中。传感时间减少了 22.5%。通过动态分析设计偏置方案，为开发高性能 3-D PCM 技术以提升计算系统的工作效率铺平了道路。如下内容是撤稿说明中提及的若干错误：图1缺少标签、缺乏对峰值电流影响传感速度的解释、缺乏选择 2V/3 方案的原因、缺乏寄生电容的影响、对导致高峰值读电流的因素解释不清、缺乏对比、缺乏对潜行电流的解释、缺乏对 SRPM 传感电路的解释、缺乏对 NM_{A1} 等定义变量的说明、两种传统电路的绘制错误、3D-IC 的写法错误、存储器层数写法错误等。这些错误可能妨碍对我们工作的正确理解。因此，我们决定从 arXiv 撤回本稿件。我们将在未来大幅重写并发表正确且完整的论文。
引用
@article{arxiv.1811.04684,
title = {Bias Scheme Reducing Transient Currents and Speeding up Read Operations for 3-D Cross Point PCM},
author = {Yu Lei and Meng Liu and Houpeng Chen and Xi Li and Qian Wang and Zhitang Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.04684},
year = {2019}
}
备注
There are some errors, as listed in the abstract, in the temporary draft un-peer-reviewed un-published version (i.e. v1) of this manuscript. In order to prevent confusing or some misleading decisions, and some policy issues, we would like to politely ask to withdraw this manuscript