用于阻变存储器的非平稳极化码
信息论
2019-04-22 v1 math.IT
摘要
阻变存储器被认为是一种有前景的存储技术，可实现高存储密度并具备存内计算能力。然而，由于导线电阻的不可避免存在导致潜行路径问题，阻变存储器的读出可靠性受损。受此问题驱动，我们研究具有不同可靠性级别的信道上的极化编码，称为非平稳极化码，并提出了一种改善其误码率（BER）性能的技术。随后我们将非平稳极化码框架应用于交叉阵列，并在两种建模方法（即二元对称信道（BSC）与二元非对称信道（BSC））下评估其BER性能。最后，我们提出了一种偏置交叉阵列中高阻态比例的技术，并展示了其在进一步降低BER方面的优势。使用类SPICE模拟器进行了若干仿真，显示出BER的显著降低。
引用
@article{arxiv.1904.08966,
title = {Non-Stationary Polar Codes for Resistive Memories},
author = {Marwen Zorgui and Mohammed E. Fouda and Zhiying Wang and Ahmed M. Eltawil and Fadi Kurdahi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.08966},
year = {2019}
}