基于磁电耦合忆阻器的固态突触

Weichuan Huang; Yue-Wen Fang; Yuewei Yin; Bobo Tian; Wenbo Zhao; Chuangming Hou; Chao Ma; Qi Li; Evgeny Y. Tsymbal; Chun-Gang Duan; Xiaoguang Li

doi:10.1021/acsami.7b18206

基于磁电耦合忆阻器的固态突触

材料科学 2025-02-03 v1 强关联电子应用物理

作者: Weichuan Huang , Yue-Wen Fang , Yuewei Yin , Bobo Tian , Wenbo Zhao , Chuangming Hou , Chao Ma , Qi Li , Evgeny Y. Tsymbal , Chun-Gang Duan , Xiaoguang Li

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摘要

类脑计算架构试图模拟人脑中神经元和突触执行的计算。具有连续可调电阻的忆阻器是人工突触的理想构建模块。通过研究 La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/La0.7Sr0.3MnO3 多铁隧道结中的忆阻器行为，发现铁电畴动力学特性受电极相对磁化取向的影响，且界面自旋极化可通过铁电畴反转进行连续调控，从根本上丰富了我们对磁电耦合的理解。这创造了一种不仅忆阻器的电阻而且突触可塑性形式均可被进一步调控的功能，正如脉冲时序依赖可塑性研究所证实的那样。我们进行了密度泛函理论计算来描述所获得的磁电耦合，这可能与界面处的 Mn-Ti 混合有关。单一人工突触中多重且可控的可塑性特征，类似于生物突触中的突触形态改变特性，将有助于人工智能的发展。

关键词

磁电耦合忆阻器人工突触多铁隧道结脉冲时序依赖可塑性

引用

@article{arxiv.2501.19304,
  title  = {Solid-state Synapse Based on Magnetoelectrically Coupled Memristor},
  author = {Weichuan Huang and Yue-Wen Fang and Yuewei Yin and Bobo Tian and Wenbo Zhao and Chuangming Hou and Chao Ma and Qi Li and Evgeny Y. Tsymbal and Chun-Gang Duan and Xiaoguang Li},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2501.19304},
  year   = {2025}
}

备注

5 figures, 20 pages

基于磁电耦合忆阻器的固态突触

摘要

关键词

引用

备注

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