合成反铁磁体中电压控制的基于 skyrmion 的人工突触
计算物理
2019-06-25 v1
摘要
自旋电子学以高速度、高集成密度和低功耗在神经形态计算系统中展现出显著潜力。在本快报中，我们提出一种由合成反铁磁体（SAF）与压电衬底组成的超低功耗自旋电子忆阻器。skyrmion/skyrmion 泡可在具有弱各向异性能（Ea）的 SAF 上层生成。在异质结构上施加弱电场，可调控层间反铁磁耦合，引起大 skyrmion 泡与小 skyrmion 之间的连续转变。这进而诱导磁隧道结电阻的变化。基于该原理的突触可在 0.3 fJ 的极低能耗代价下于宽范围内调控权重。这些结果为超低功耗神经形态计算应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1906.09758,
title = {Voltage-controlled skyrmion-based artificial synapse in a synthetic antiferromagnet},
author = {Ziyang Yu and Maokang Shen and Zhongming Zeng and Shiheng Liang and Yong Liu and Ming Chen and Zhenhua Zhang and Zhihong Lu and Yue Zhang and Rui Xiong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.09758},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 7 figures