磁隧道结中的短期可塑性与长期增强：迈向易失性突触
新兴技术
2017-12-20 v3
摘要
突触记忆被认为是人类学习和认知的主要元素。尽管传统上已将非易失性长期可塑性变化实现于纳米电子突触中以用于神经形态应用，但神经科学近期研究表明，生物突触经历亚稳态易失性增强，随后若输入刺激频率足够高则发生长期增强。此类“记忆增强”与“记忆衰减”功能可能催生自适应神经形态架构。在本文中，我们展示了磁隧道结(MTJ)的磁化动力学与生物突触中观察到的短期可塑性和长期增强的密切相似性。我们阐明，除输入刺激的幅度和持续时间外，刺激频率在决定MTJ长期增强方面起着关键作用。此类MTJ突触记忆阵列可用于创建紧凑、超快且低功耗的智能神经系统。
引用
@article{arxiv.1511.00051,
title = {Short-Term Plasticity and Long-Term Potentiation in Magnetic Tunnel Junctions: Towards Volatile Synapses},
author = {Abhronil Sengupta and Kaushik Roy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.00051},
year = {2017}
}
备注
The article will appear in a future issue of Physical Review Applied