面内铁电隧道结
应用物理
2019-02-26 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
铁电材料是实现非易失性存储器的重要平台。迄今为止，现有的铁电存储器件利用铁电薄膜中的面外极化。本文中，我们提出一种基于具有面内极化的铁电薄膜的新型随机存取存储器（RAM），称为“面内铁电隧道结”。除了相对于传统动态 RAM 所具有的非易失性、更低功耗和更快写入操作之外，我们的方案还具有读取操作更快和非破坏性读取过程的优势，从而克服了当前铁电 RAM 中广泛存在的读后写问题。近期发现的室温铁电 IV-VI 族半导体薄膜是实现我们方案的一种有前景的材料平台。
引用
@article{arxiv.1807.07562,
title = {In-Plane Ferroelectric Tunnel Junction},
author = {Huitao Shen and Junwei Liu and Kai Chang and Liang Fu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.07562},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 3 figures + 3 pages of supplemental material