低压范德华 FET 的统一基准测试
介观与纳米尺度物理
2016-11-22 v1
摘要
本文对单层 MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2 和黑磷场效应晶体管（FET）在低压（LV）区间（0.3V）下进行了基准测试，其几何结构取自 2013 年国际半导体技术路线图（ITRS）的 2019 和 2028 节点，并同时与超薄体 Si FET 进行了对比。电流可随尺寸微缩而增加或减小，该趋势与有效质量强相关。对于 2028 节点的低压运行，约 0.4 m0 的有效质量（对应于 WSe2 的有效质量）可提供最大驱动电流。6 nm 的短栅长结合低压运行，对材料质量和接触电阻的要求较为宽松。在此低压区间内，使用目前测得的单层二维材料的迁移率和接触电阻值，器件和电路性能均具有竞争力。
引用
@article{arxiv.1611.06480,
title = {Uniform Benchmarking of Low Voltage Van Der Waals FETs},
author = {Somaia Sarwat Sylvia and Khairul Alam and Roger K Lake},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.06480},
year = {2016}
}