双栅SiGe和GaAs隧穿FET的非平衡格林函数分析
介观与纳米尺度物理
2011-05-27 v1
摘要
近年来，关于TFET的器件模拟工作已广泛开展。人们提出了多种TFET建模方法。在本文中，我们研究了其中一种特定的器件建模方法。非平衡格林函数形式体系已被证明在纳米尺度器件建模中是有效的。我们首次使用NEGF形式体系对完整的SiGe和GaAs隧穿FET进行建模，同时考虑了声子散射。我们基于I-V曲线、Ion-Ioff比和亚阈值斜率对它们进行了分析。通过提供电势分布，求解了泊松方程和平衡统计力学方程。
引用
@article{arxiv.1105.5260,
title = {Non Equilibrium Green's Function Analysis of Double Gate SiGe and GaAs Tunnel FETs},
author = {Rahul Mishra and Bahniman Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5260},
year = {2011}
}