源区超薄 SiGe 改善薄膜隧穿 FET 的性能
介观与纳米尺度物理
2020-08-25 v2 材料科学
摘要
本工作中，对 n 型薄膜隧穿 FET 的源结构进行设计以获得更好性能。在硅基 TFET 的源中使用了超薄 SiGe 与 Si。比较了两种结构与常规 TFET：一种 SiGe 位于源中 Si 的顶部，另一种相反。仿真证实这些结构可将亚阈值摆幅、关态电流降低数倍，并提高开关比。研究了导带与价带的能带图，并利用带间隧穿（BTBT）产生率来寻找更优性能。我们发现电流流经源中具有更宽带隙的 Si。改变 SiGe 的 Ge 摩尔分数并研究其对 TFET 性能的影响。探讨了两种结构中 SiGe 的厚度，以获得 SiGe 的最佳厚度。
引用
@article{arxiv.2008.08271,
title = {Ultra-Thin SiGe in the Source Modifies Performance of Thin-Film Tunneling FET},
author = {Hamed Habibi and Shoeib Babaee Touski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.08271},
year = {2020}
}