基于应变工程的高性能互补 III-V 隧穿场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-05-04 v1
摘要
应变工程近来被探索用于改进隧穿场效应晶体管(TFETs)。在此，我们通过量子输运模拟报道了应变超薄体(UTB) III-V TFETs 的设计与性能。研究发现，对于限制在 [001] 取向的 InAs UTB，[100] 或 [110] 取向的单轴压缩应变缩小了带隙，同时减小（增大）了输运（横向）有效质量。因此它改善了 n 型和 p 型 UTB InAs TFETs 的开态电流，且不降低源区态密度。在源区局部施加应变通过抑制关态泄漏进一步改善性能。对于 p 型 TFETs，局部应变区可延伸至沟道形成量子阱，从而产生更大的开态电流，可与 n 型相媲美。因此应变工程是改进基于 UTB III-V TFETs 的互补电路的一个有前景的选择。
引用
@article{arxiv.1605.00955,
title = {High-Performance Complementary III-V Tunnel FETs with Strain Engineering},
author = {Jun Z. Huang and Yu Wang and Pengyu Long and Yaohua Tan and Michael Povolotskyi and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.00955},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 11 figures