具有增强驱动能力用于低功耗应用的静电掺杂异质结隧穿场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-12-22 v1
摘要
本文通过TCAD二维器件仿真，展示了基于异质结和带隙工程的n型静电掺杂（ED）隧穿场效应晶体管（ED-TFET）的增强驱动电流。同质结ED-TFET器件利用静电掺杂在本征硅纳米线上创建源/漏区，这也实现了动态可重构性。ED-TFET以降低的热预算和工艺复杂度提供了对沟道的良好静电控制。然而，该器件表现出较低的导通电流，因此，在这项工作中，我们详细阐述了将III-V族与IV族半导体接口以形成异质结。在ED-TFET中引入异质结和带隙工程，即使在极低工作电压下也改善了驱动电流。对各种低带隙源区材料的比较表明，锗（Ge）源（Si-Si-Ge）ED-TFET提供了约9.5 mV/dec的最陡峭亚阈值摆幅（SS），以及在 = 1 V时1.58 mA和 = 0.5 V时0.093 mA的更高导通态驱动电流（具有相同SS）。
引用
@article{arxiv.1512.06232,
title = {Electrostatically Doped Heterojunction TFET with Enhanced Driving Capabilities for Low Power Applications},
author = {Kanchan Cecil and Jawar Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.06232},
year = {2015}
}