热电子发射作为研究无掺杂 nFinFET 中输运的工具
介观与纳米尺度物理
2010-03-30 v1
摘要
本文研究了无掺杂三栅 MOSFET 中的热激活亚阈值输运。确定了势垒高度和沟道有效横截面积随栅极电压变化的函数关系。我们的实验结果与我们开发的紧束缚模拟结果均与先前的解析计算吻合良好，证实了热电子发射方法研究 FET 输运的有效性。该方法为改善器件特性提供了重要工具。
关键词
引用
@article{arxiv.1003.5441,
title = {Thermionic Emission as a tool to study transport in undoped nFinFETs},
author = {Giuseppe C. Tettamanzi and Abhijeet Paul and Gabriel P. Lansbergen and Jan Verduijn and Sunhee Lee and Nadine Collaert and Serge Biesemans and Gerhard Klimeck and Sven Rogge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5441},
year = {2010}
}
备注
3 pages, 3 figure, 1 table