介电材料中栅极可控的电子陷阱检测
应用物理
2020-04-01 v1 材料科学
摘要
通过调节 MIS 器件的栅极电势，已展示出一种栅极可控的电子陷阱检测方法。该方法基于电容-电压 (CV) 曲线偏移以及平带电压 (VFB) 在小于 10 微秒内由于电子通过金属栅极注入或射出而被测量的现象。利用该方法，在 HfO2 介电薄膜中测量了电子陷阱能量分布，并确认最大陷阱数 (Delta_NT) 为 1.7x10^12 cm^-2，对应于硅导带 (Si-ECB) 上方 0.45 eV 的能级 (Delta_EIL)。相比之下，基于 ZrO2 的 MIS 器件在整个带隙中显示出更宽的电子陷阱分布。然而，HfO2 中深层陷阱占比超过 60%，而 ZrO2 中为 50%，这确立了材料差异的影响。
引用
@article{arxiv.2003.13939,
title = {Gate-controllable electronic trap detection in dielectrics},
author = {Sandip Mondal1 and Tathagata Paul and Arindam Ghosh and V. Venkataraman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.13939},
year = {2020}
}
备注
Electronic traps, metal insulator semiconductor (MIS), energy level (EIL), silicon conduction band (Si ECB)