InAs/GaSb/InAs 结构中垂直输运与电致发光：GaSb 厚度与水压力研究
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们测量了类型 II InAs/GaSb/InAs 双异质结 (DHET) 的电压-电流 (I-V) 特性，其 '类似 GaAs 的'界面键合且 GaSb 厚度在 0-1200 Å 范围内。观察到所有 DHET 当 GaSb 厚度 > 60 Å 时都出现负微分电阻 (NDR)，低于此阈值时 I-V 曲线形状发生显著变化并出现明显滞回。I-V 特性的温度依赖性在该临界 GaSb 厚度以下非常强。所选 DHET 的 I-V 特性也在最高 11 kbar 的水压下呈现。最后，在 1 巴压力下观察到中红外电致发光，其阈值位于 NDR 谷偏置处。分析中的带隙轮廓计算与文献中给出的显著不同，由于在偏置下在 GaSb 层中积聚的正电荷而得出。我们得出结论，DHET 中占主导地位的导电机制最可能源于类似于单异质结 (SHET) 中观察到的非弹性电子-重载子相互作用，而非 Yu 等人提出的谐振电子-轻载子隧穿，Zener 隧穿机制对 NDR 之外的背景电流有贡献。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109477,
title = {Vertical transport and electroluminescence in InAs/GaSb/InAs structures: GaSb thickness and hydrostatic pressure studies},
author = {M. Roberts and Y. C. Chung and S. Lyapin and N. J. Mason and R. J. Nicholas and P. C. Klipstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109477},
year = {2009}
}
备注
8 pages 12 figs