NbSe$_3$ 电荷密度波导体中基本导电层之间的相干隧穿
超导电性
2009-11-07 v2 强关联电子
摘要
研究了 NbSe 电荷密度波导体中沿 轴横向输运的特征。 在低温下，两种层状结构和 NbSe-NbSe 点接触的 - 特征在零偏压电压处表现出强烈的动态导电性峰。此外，层状结构的 - 特征显示出一系列峰，这些峰出现在等于双 Peierls 能隙的整数倍电压上。实验中观察到的导电性行为类似于 Bi-2212 高 超导体中 interlayer 隧穿的报告情况。零偏压导电性峰可通过模型解释：即来自几乎相干 interlayer 隧穿的载流子，这些载流子并未在电荷密度波中凝聚。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204581,
title = {Coherent Tunneling between Elementary Conducting Layers in the NbSe$_3$ Charge-Density-Wave Conductor},
author = {Yu. I. Latyshev and A. A. Sinchenko and L. N. Bulaevskii and V. N. Pavlenko and P. Monceau},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204581},
year = {2009}
}
备注
11 pages including 5 figures