CdTe 覆盖层生长过程中的缺陷形成动力学
材料科学
2012-06-25 v1
摘要
多层界面处原子尺度缺陷的存在显著降低了基于 CdTe 的光伏技术的性能。因此，准确预测和理解覆盖层生长过程中的缺陷形成机制是提高 CdTe 材料效率的合理途径。在这项工作中，我们利用最近开发的 CdTe 键序势（BOP）来实现精确的分子动力学（MD）模拟，以预测多层生长过程中的缺陷形成。我们将 MD 模拟与高分辨率透射电子显微镜实验进行了详细比较，验证了我们方法的准确性和预测能力。我们的模拟进一步表明，岛状生长可以减少由晶格失配引起的缺陷。这些结果突出了利用预测性 MD 模拟来获得关于减少 CdTe 覆盖层缺陷的新见解，这直接解决了改进这些材料的努力。
引用
@article{arxiv.1206.5226,
title = {Defect formation dynamics during CdTe overlayer growth},
author = {J. J. Chavez and D. K. Ward and B. M. Wong and F. P. Doty and J. L. Cruz-Campa and G. N. Nielson and V. P. Gupta and D. Zubia and J. McClure and X. W. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5226},
year = {2012}
}