CdTe 晶体中的熔体生长动力学
材料科学
2012-06-20 v1
摘要
我们利用一种新的基于量子力学的键级势 (BOP) 揭示了 CdTe 晶体中的熔体生长动力学和细观缺陷形成机制。先前对半导体的分子动力学模拟由于缺乏能够预测熔体 晶体转变过程中遇到的许多过渡结构的晶体生长和性质趋势的原子间势，从而显示出定性上不正确的行为。在此，我们展示了使用 BOP 成功进行的 CdTe 熔体生长分子动力学模拟，该 BOP 在不同相的性质趋势方面显著优于其他势函数。我们的模拟结果深化了对熔体生长过程中缺陷形成的理解。同样重要的是，我们表明新的 BOP 使得能够在与经验分子动力学模拟方法相当的尺度水平上研究缺陷形成机制，同时其保真度接近量子力学方法。
引用
@article{arxiv.1206.4105,
title = {Melt-growth dynamics in CdTe crystals},
author = {X. W. Zhou and D. K. Ward and B. M. Wong and F. P. Doty},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4105},
year = {2012}
}