基于新键序势分子动力学方法的CdTe气相沉积高保真模拟
材料科学
2012-06-20 v1
摘要
CdTe是构建最低成本太阳能电池的特殊半导体，而基于CdTe的Cd1-xZnxTe合金是辐射探测应用的主要半导体。然而，目前这些材料所实现的性能仍远低于理论预期。这是因为在CdTe晶体生长过程中容易形成的限制性能的纳米级缺陷在实验中难以探究。本文展示了基于键序势的分子动力学方法在气相沉积模拟中预测CdTe薄膜晶体生长的能力。这种方法可能开始能够精确探索CdTe晶体气相沉积过程中产生的缺陷。
引用
@article{arxiv.1206.4231,
title = {High-fidelity simulations of CdTe vapor deposition from a new bond-order potential-based molecular dynamics method},
author = {X. W. Zhou and D. Ward and B. M. Wong and F. P. Doty and J. A. Zimmerman and G. N. Nielson and J. L. Cruz-Campa and V. P. Gupta and J. E. Granata and J. J. Chavez and D. Zubia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4231},
year = {2012}
}